Моя заявка (0)

ZXT953KTC, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

ZXT953KTC, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017148171
Артикул
ZXT953KTC
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Длина
6.73 mm
Серия
ZXT953
Высота
2.39 mm
Цена по запросу
(от 570 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 100V

Технические параметры

Вес, г0.001
Длина6.73 mm
СерияZXT953
Высота2.39 mm
КорпусDPAK/TO-252
Ширина6.22 mm
Power Dissipation4.2Вт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min15hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокDPAK-3
Continuous Collector Current5А
Collector Emitter Voltage Max100В
DC Усиление Тока hFE15hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft125МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораPNP
Pd - рассеивание мощности4200 mW
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)140 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер335 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)125 MHz

Техническая документация