ZXT849KTC, TO-252 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067509996
- Артикул
- ZXT849KTC
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.51 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | ZXT849 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Height | 2.39(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | DPAK |
| Power Dissipation | 4.2Вт |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Minimum DC Current Gain | 100@10mA@1V|100@1A@1V|40@20A@2V|100@7A@1V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Continuous Collector Current | 7А |
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 4200 |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 7 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Typ) |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.00115@350mA@7A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 4200 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.04@20mA@0.5A|0.18@20mA@2A|0.08@20mA@1A|0.28@350mA@7A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 230 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |