Моя заявка (0)

ZXT790AKTC, 20nA 40V 3.9W 170@3A,2V 3A 100MHz 250mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT

ZXT790AKTC, 20nA 40V 3.9W 170@3A,2V 3A 100MHz 250mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069487324
Артикул
ZXT790AKTC
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXT790
Вес, г
0.51
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 133,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXT790
Вес, г0.51
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусDPAK/TO-252
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Pd - Power Dissipation3.9W
Pd - Power Dissipation:3.9 W
DC Current Gain hFE Max:300 at 10 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Maximum DC Collector Current3A
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Maximum DC Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector-Emitter Breakdown Voltage40V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:250 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100

Техническая документация