Моя заявка (0)

Diodes Inc ZXT13N50DE6TA NPN Transistor, 4 A, 50 V, 6-Pin SOT-23

Diodes Inc ZXT13N50DE6TA NPN Transistor, 4 A, 50 V, 6-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009764326
Артикул
ZXT13N50DE6TA
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
6
Вес, г
5
Длина
3.1 mm
Серия
ZXT13N50
Цена по запросу
(от 139,05 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Low Sat

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г5
Длина3.1 mm
СерияZXT13N50
Package TypeSOT-23
Высота1.3 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.8 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain300
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1.7 W
Maximum Operating Frequency115 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-6
Maximum DC Collector Current4 A
Maximum Emitter Base Voltage7.5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.1 W
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7.5 V
Непрерывный коллекторный ток4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер145 mV
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)115 MHz

Техническая документация