ZXT13N50DE6TA, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004842069
- Артикул
- ZXT13N50DE6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 3.1 mm
- Серия
- ZXT13N50
Цена по запросу
(от 148 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Low Sat
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.1 mm |
| Серия | ZXT13N50 |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.3 mm |
| Ширина | 1.8 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Maximum Operating Frequency | 115 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-6 |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7.5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 145 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 115 MHz |