Моя заявка (0)

ZXT13N20DE6TA, 100nA 20V 1.1W 45@15A,2V 4.5A 96MHz 170mV@4.5A,45mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-6 BIpolar TransIstors - BJT

ZXT13N20DE6TA, 100nA 20V 1.1W 45@15A,2V 4.5A 96MHz 170mV@4.5A,45mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-6 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017625856
Артикул
ZXT13N20DE6TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Длина
3.1 mm
Серия
ZXT13N
Высота
1.3 mm
Цена по запросу
(от 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 20V NPN SuperSOT4

Технические параметры

Вес, г0.03
Длина3.1 mm
СерияZXT13N
Высота1.3 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.8 mm
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.1 W
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7.5 V
Непрерывный коллекторный ток4.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора4.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер170 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250 at 10 mA, 2 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц96
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)96 MHz

Техническая документация