Моя заявка (0)

ZXT12P40DXTA, Транзистор: PNP x2; биполярный; 40В; 2А; 0,87Вт; MSOP8

ZXT12P40DXTA, Транзистор: PNP x2; биполярный; 40В; 2А; 0,87Вт; MSOP8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021915299
Артикул
ZXT12P40DXTA
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Type
PNP
Brand:
Diodes Incorporated
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT PNP 40V 2A 1250 МВт 8-контактный MSOP T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypePNP
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant
Series:ZXT12P4
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Technology:Si
Subcategory:Transistors
ConfigurationDual Dual Collector
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:MSOP-8
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageMSOP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP1.04Вт
Standard Package NameSOP
Minimum DC Current Gain300@10mA@2V|300@1A@2V|150@2A@2V|10@5A@2V
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP130МГц
Квалификация-
Gain Bandwidth Product fT:130 MHz
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP150hFE
Emitter- Base Voltage VEBO:7.5 V
Number of Elements per Chip2
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:-2.5 A
Maximum DC Collector Current:2 A
DC Ток Коллектора2А
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)1250
Minimum Operating Temperature:-55 C
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP2А
DC Усиление Тока hFE150hFE
Maximum DC Collector Current (A)2
Maximum Emitter Base Voltage (V)7.5
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP40В
Линейка ПродукцииSuperSOT4 Series
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)130(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:150 mV
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Рассеиваемая Мощность1.04Вт
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1@100mA@2A
Полярность ТранзистораДвойной PNP
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Стиль Корпуса ТранзистораMSOP
Напряжение Коллектор-Эмиттер40В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Стандарты Автомобильной Промышленности-

Техническая документация