ZXT12N50DXTA, Trans GP BJT NPN 50V 3A 1250mW 8-Pin MSOP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001280155
- Артикул
- ZXT12N50DXTA
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (сдвоенная) 50В 3А 132 МГц 1,04 Вт для поверxностного монтажа 8-MSOP
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Series: | ZXT12 |
| Вес, г | 0.05 |
| Power - Max | 1.04W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | MSOP-8 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118"", 3.00mm Width) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MSOP-8 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | 2 x npn |
| Base Product Number | ZXT12N50D -> |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 132MHz |
| Pd - Power Dissipation: | 870 mW |
| Supplier Device Package | 8-MSOP |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 at 10 mA, 2 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 132 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7.5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 3A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 135 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.87 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300…900 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 132 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |