ZXT10P40DE6TA, SOT-26 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043844947
- Артикул
- ZXT10P40DE6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 40V PNP SuperSOT4
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 3.1 mm |
| Серия | ZXT10 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.3 mm |
| Ширина | 1.8 mm |
| Configuration | Single Quad Collector |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Base Current (A) | 0.5 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-6 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1700 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 190(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1 200mA 2A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 210 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA at 2 V, 300 at 100 mA at 2 V, 180 at |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 190 MHz |