Diodes Inc IntelliFET N-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 ZXMS6006SGTA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8796555902
- Артикул
- ZXMS6006SGTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.55mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- IntelliFET
- Series:
- ZXMS600
Цена по запросу
(от 240,32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IntelliFET - это самозащищенные МОП-транзисторы, которые объединяют в себе полный набор сxем защиты от ESD (электростатически чувствительного устройства), перегрузки по току, перенапряжения и перегрева.
Технические параметры
| Width | 3.55mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | IntelliFET |
| Series: | ZXMS600 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 us |
| Rise Time: | 18 us |
| Tradename: | IntelliFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.6 us |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 us |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |