Моя заявка (0)
ZXMS6006SGTA, MOSFETs 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004842045
Артикул
ZXMS6006SGTA
Бренд
DIODES INC.
Width
3.55mm
Brand:
Diodes Incorporated
Series
IntelliFET
Series:
ZXMS600
Цена по запросу
(от 191 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Width3.55mm
Brand:Diodes Incorporated
SeriesIntelliFET
Series:ZXMS600
Product:MOSFET Small Signal
Pin Count3
Fall Time:15 us
Rise Time:18 us
Tradename:IntelliFET
Вес, г0.11
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.6 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-5 V, +5 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:8.6 us
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:34 us
Maximum Operating Temperature+125 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
Id - Continuous Drain Current:2.8 A
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Drain Source Resistance125 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance:75 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:700 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)100мОм

Техническая документация