Моя заявка (0)
ZXMS6006DGQ-13, MOSFETs Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024753367
Артикул
ZXMS6006DGQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
18 ns
Цена по запросу
(от 100,75 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:18 ns
Вес, г0.11
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-223-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:8.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация