Моя заявка (0)
ZXMS6005SGTA, MOSFETs 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005061233
Артикул
ZXMS6005SGTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXMS6
Fall Time:
19 us
Rise Time:
14 us
Цена по запросу
(от 158,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXMS6
Fall Time:19 us
Rise Time:14 us
Tradename:IntelliFET
Вес, г0.11
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.6 W
Typical Turn-On Delay Time:6 us
Typical Turn-Off Delay Time:34 us
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:65 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)100мОм

Техническая документация