Моя заявка (0)

ZXMS6005DGTA, Транзистор N-MOSFET, IntelliFET™, полевой, 60В, 2А, 1,3Вт, SOT223

ZXMS6005DGTA, Транзистор N-MOSFET, IntelliFET™, полевой, 60В, 2А, 1,3Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041359741
Артикул
ZXMS6005DGTA
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
Brand:
Diodes Incorporated
EU RoHS
Compliant with Exemption
Series:
ZXMS600
Цена по запросу
(от 163,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

TabTab
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant with Exemption
Series:ZXMS600
MountingSurface Mount
Product:MOSFET Small Signal
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
Fall Time:19 us
Lead ShapeGull-wing
Rise Time:14 us
Tradename:IntelliFET
Вес, г0.14
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package Width3.7(Max)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package Height1.65(Max)
Package Length6.7(Max)
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Supplier PackageSOT-223
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Standard Package NameSOT
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Typical Turn-On Delay Time:6 us
Typical Turn-Off Delay Time:34 us
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:200 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:700 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация