ZXMS6004N8-13, Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 1.3A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070668973
- Артикул
- ZXMS6004N8-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- Intellifet
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMS6004
- Product:
- MOSFET
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Самозащитные МОП-транзисторы IntelliFET Diodes Inc. Самозащитные МОП-транзисторы IntelliFET объединяют в себе мощный МОП-транзистор с полным набором сxем защиты. Эти средства защиты защищают от электростатического разряда, перегрузки по току, перенапряжения и перегрева. Интеллектуальные МОП-транзисторы распознают потенциально аварийные ситуации и защищают себя и подключенные нагрузки. Эти функции защиты повышают общую надежность системы. Дополнительные функции, такие как флажки состояния, предоставляют диагностические возможности, которые помогают выявлять и устранять неисправности в автомобиле.
Технические параметры
| Type: | Intellifet |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMS6004 |
| Product: | MOSFET |
| Fall Time: | 15 us |
| Rise Time: | 10 us |
| Tradename: | IntelliFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1.65Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.28 W |
| Квалификация | - |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 us |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 1.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.65Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.35Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |