Моя заявка (0)
ZXMP7A17GQTA, MOSFETs 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004701930
Артикул
ZXMP7A17GQTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXMP7
Fall Time:
8 ns
Rise Time:
3.4 ns
Цена по запросу
(от 133,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXMP7
Fall Time:8 ns
Rise Time:3.4 ns
Вес, г0.11
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:18 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3.9 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:27.9 ns
Id - Continuous Drain Current:2.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:160 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:70 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В70
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)250мОм

Техническая документация