ZXMP6A18DN8TA, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8950623488
- Артикул
- ZXMP6A18DN8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SO8
- Width
- 4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMP6A18
Цена по запросу
(от 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Width | 4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMP6A18 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Rise Time: | 5.8 ns |
| Вес, г | 0.181 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | SOIC |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -3.8A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Power dissipation | 1.25W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 55mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -60V |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.7 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055 Ом |