ZXMP6A17E6QTA, 60V 2.3A 125mOhm@10V,2.3A 1.1W P Channel SOT-26 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042956348
- Артикул
- ZXMP6A17E6QTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMN6
- Fall Time:
- 11.3 ns
- Rise Time:
- 3.4 ns
Цена по запросу
(от 101,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMN6 |
| Fall Time: | 11.3 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17.7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.92 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17.7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 637pF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.2 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |