ZXMP6A13GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,9А; Idm: -7,8А; 2Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022601460
- Артикул
- ZXMP6A13GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT223
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMP6A
Цена по запросу
(от 30,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMP6A |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 5.7 ns |
| Rise Time: | 2.2 ns |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -1.9A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 2W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.9 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.595Ω |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -7.8A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.9 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.9nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 219pF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.2 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 390mΩ@900mA, 10V |