ZXMP4A16KTC, MOSFETs 40V 9.9A P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005444099
- Артикул
- ZXMP4A16KTC
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 17.1 ns
- Rise Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 203,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 17.1 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 2.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29.6 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.15W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 9.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29.6nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 965pF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36.8 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60mΩ@10V, 3.8A |