Моя заявка (0)
ZXMP3A17DN8TA, 30V 70mOhm SO-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024878915
Артикул
ZXMP3A17DN8TA
Бренд
DIODES INC.
Type:
MOSFET
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
8.72 ns
Rise Time:
2.87 ns
Цена по запросу
(от 121,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:8.72 ns
Rise Time:2.87 ns
Вес, г0.33
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:15.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:1.74 ns
Typical Turn-Off Delay Time:29.2 ns
Id - Continuous Drain Current:4.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)70мОм

Техническая документация