Моя заявка (0)

ZXMP10A17GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -1,9А, 2Вт, SOT223

ZXMP10A17GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -1,9А, 2Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062450069
Артикул
ZXMP10A17GTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
7.2 ns
Rise Time:
3.5 ns
Вес, г
0.2
Цена по запросу
(от 157,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:7.2 ns
Rise Time:3.5 ns
Вес, г0.2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13.4 ns
Id - Continuous Drain Current:1.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:450 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация