ZXMP10A13FTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -0,5А, 625мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538232
- Артикул
- ZXMP10A13FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
Цена по запросу
(от 37,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -0,5А, 625мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Series: | ZXMP10A |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 3.3 ns |
| Rise Time: | 2.1 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 806 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 806 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.8 nC @ 5 V, 3.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.9 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.2 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 700 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1О© @ 600mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 625mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 600mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ohms |