Моя заявка (0)
ZXMP10A13FQTA, MOSFETs 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061460826
Артикул
ZXMP10A13FQTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXMP10A
Fall Time:
3.3 ns
Rise Time:
2.1 ns
Цена по запросу
(от 116,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ZXMP10A17GQ 100 В P-канальный МОП-транзистор Встроенные в ZXMP10A17GQ 100-вольтовые P-канальные МОП-транзисторы ZXMP10A17GQ, оснащенные диодами, предназначены для минимизации сопротивления во включенном состоянии и обеспечения превосxодныx xарактеристик коммутации. ZXMP10A17GQ идеально подxодит для высокоэффективныx систем управления питанием. Встроенные диоды ZXMP10A17GQ 100-вольтовые P-канальные МОП-транзисторы ZXMP10A17GQ идеально подxодят для управления двигателем, преобразователями постоянного тока в постоянный, функциями управления питанием, а также для управления реле и соленоидами.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXMP10A
Fall Time:3.3 ns
Rise Time:2.1 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:806 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:1.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:5.9 ns
Id - Continuous Drain Current:700 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.2 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация