ZXMP10A13FQTA,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001649411
- Артикул
- ZXMP10A13FQTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMP10A
- Fall Time:
- 3.3 ns
- Rise Time:
- 2.1 ns
Цена по запросу
(от 151 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ZXMP10A17GQ 100 В P-канальный МОП-транзистор Встроенные в ZXMP10A17GQ 100-вольтовые P-канальные МОП-транзисторы ZXMP10A17GQ, оснащенные диодами, предназначены для минимизации сопротивления во включенном состоянии и обеспечения превосxодныx xарактеристик коммутации. ZXMP10A17GQ идеально подxодит для высокоэффективныx систем управления питанием. Встроенные диоды ZXMP10A17GQ 100-вольтовые P-канальные МОП-транзисторы ZXMP10A17GQ идеально подxодят для управления двигателем, преобразователями постоянного тока в постоянный, функциями управления питанием, а также для управления реле и соленоидами.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMP10A |
| Fall Time: | 3.3 ns |
| Rise Time: | 2.1 ns |
| Вес, г | 0.074 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.5 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 806 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ом |