Моя заявка (0)

ZXMN7A11KTC, 70V 4.2A 2.11W 130mOhm@10V,4.4A N Channel TO-252 MOSFETs

ZXMN7A11KTC, 70V 4.2A 2.11W 130mOhm@10V,4.4A N Channel TO-252 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024879340
Артикул
ZXMN7A11KTC
Бренд
DIODES INC.
Width
6.22mm
Pin Count
3
Вес, г
4
Длина
6.73 mm
Цена по запросу
(от 116 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 70V N-Channel 6.1A МОП-транзистор

Технические параметры

Width6.22mm
Pin Count3
Вес, г4
Длина6.73 mm
СерияZXMN7A
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.39 mm
КорпусTO-252
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.8 ns
Power Dissipation (Pd)2.11W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation8.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)7.4nC@10V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокTO-252-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)298pF@40V
Maximum Drain Source Voltage70 V
Continuous Drain Current (Id)4.2A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора7.4 nC
Maximum Drain Source Resistance190 mΩ
Время нарастания2 ns
Maximum Continuous Drain Current6.1 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности8.5 W
Id - непрерывный ток утечки6.1 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток70 V
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения11.5 ns
Типичное время задержки при включении1.9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В70
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)130mΩ@10V, 4.4A

Техническая документация