ZXMN7A11GTA, Trans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001067453
- Артикул
- ZXMN7A11GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT223
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 70В, 3А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT-223 |
| Drain current | 3A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 2W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 70V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.9 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 70 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 70 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |