ZXMN6A25KTC, MOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004842024
- Артикул
- ZXMN6A25KTC
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 157,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы ZXMN с улучшенным режимом работы МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN с улучшенным режимом работы - это N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, отличающиеся низким сопротивлением при включении, быстрым переключением и высокой лавиноустойчивостью. МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN идеально подxодят для высокоэффективныx систем управления питанием, включая линейные драйверы SLIC для VoIP-приложений, приводной переключатель трансформатора, управление двигателем, бесперебойное электроснабжение и многое другое.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | ZXMN6A |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | ZXMN6A |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 10.6 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 4 ns |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 10.6 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 3.95 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20.4 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Pd - Power Dissipation | 2.11 W |
| Typical Fall Time (ns) | 10.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.11 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.8 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 10.7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2110 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20.4@10V|11@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26.2 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1063@30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 50 mOhms |