ZXMN6A25DN8TA, Датчик тока
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044730603
- Артикул
- ZXMN6A25DN8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMN6A2
- Fall Time:
- 10.6 ns
Цена по запросу
(от 123 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMN6A2 |
| Fall Time: | 10.6 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.39 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20.4 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |