ZXMN6A11GTA, Trans MOSFET N-CH 60V 4.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001121939
- Артикул
- ZXMN6A11GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMN6A1
- Fall Time:
- 4.6 ns
Цена по запросу
(от 65 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMN6A1 |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Rise Time: | 3.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7мм |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Высота | 1.8мм |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7мм |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.8мм |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.7 nC |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Тип канала | N |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.9 W |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Производитель | DiodesZetex |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.95 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.2 ns |
| Число контактов | 3+Tab |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 5,7 нКл при 10 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 330 пФ при 40 В |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное рассеяние мощности | 3,9 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 1,95 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.4 A |
| Типичное время задержки выключения | 8.2 ns |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 180 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |