ZXMN6A11DN8TA, MOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004842020
- Артикул
- ZXMN6A11DN8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMN6A111
- Fall Time:
- 4.6 ns
Цена по запросу
(от 178 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 2,6А, 1,25Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMN6A111 |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Rise Time: | 3.5 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.95 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |