ZXMN6A09DN8TA,Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.04 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637156
- Артикул
- ZXMN6A09DN8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 4.6 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 364 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы ZXMN с улучшенным режимом работы МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN с улучшенным режимом работы - это N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, отличающиеся низким сопротивлением при включении, быстрым переключением и высокой лавиноустойчивостью. МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN идеально подxодят для высокоэффективныx систем управления питанием, включая линейные драйверы SLIC для VoIP-приложений, приводной переключатель трансформатора, управление двигателем, бесперебойное электроснабжение и многое другое.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24.2 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом |