Моя заявка (0)

ZXMN6A08KTC,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

ZXMN6A08KTC,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637134
Артикул
ZXMN6A08KTC
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.34
Серия
ZXMN6
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 133 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V N-Channel МОП-транзистор 20V VGS 24.3A IDM

Технические параметры

Вес, г0.34
СерияZXMN6
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4.6 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора5.8 nC
Время нарастания2.1 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности4.13 W
Id - непрерывный ток утечки7.9 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения12.3 ns
Типичное время задержки при включении2.6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6.6 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.08 Ом

Техническая документация