Моя заявка (0)
ZXMN6A08KTC, MOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004842018
Артикул
ZXMN6A08KTC
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.34
Серия
ZXMN6
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 88,25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 60V N-Channel МОП-транзистор 20V VGS 24.3A IDM

Технические параметры

Вес, г0.34
СерияZXMN6
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4.6 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора5.8 nC
Время нарастания2.1 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности4.13 W
Id - непрерывный ток утечки7.9 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения12.3 ns
Типичное время задержки при включении2.6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6.6 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация