ZXMN6A08E6TA, 60V 2.8A 80mOhm@10V,4.8A 1.1W 1V@250uA N Channel SOT-23-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017602359
- Артикул
- ZXMN6A08E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMN6A0
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 76,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMN6A0 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Rise Time: | 2.1 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23-6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80mО© @ 4.8A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.1W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.8A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80мОм |