ZXMN3G32DN8TA, SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024878030
- Артикул
- ZXMN3G32DN8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.27
- Длина
- 5 mm
- Серия
- ZXMN3
- Высота
- 1.5 mm
Цена по запросу
(от 35,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Dual N-Channel Enhance. Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.27 |
| Длина | 5 mm |
| Серия | ZXMN3 |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SO-8 |
| Ширина | 4 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9.7 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 1.8W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@10V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 472pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.5A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время нарастания | 3.1 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.1 A |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.5 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28mΩ@6A, 10V |