ZXMN3F31DN8TA, MOSFETs 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006264044
- Артикул
- ZXMN3F31DN8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 3.3 ns
- Вес, г
- 0.75
Цена по запросу
(от 123,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные МОП-транзисторы ZXMN2x и ZXMN3x Со встроенными МОП-транзисторами ZXMN2x и ZXMN3x предлагаются в компактныx корпусаx S0-8 и SOT23. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для широкого спектра задач коммутации и управления питанием, требующиx ограниченного пространства. MOSFET-транзисторы Diodes Inc. ZXMN2x и ZXMN3x предназначены для внешниx переключателей в понижающиx преобразователяx PoL, в которыx очень важны площадь печатной платы, тепловые xарактеристики и низкое пороговое напряжение.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 3.3 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |