Моя заявка (0)

ZXMN3B04N8TA, 30V 7.2A 2W 25mOhm@7.2A,4.5V N Channel SO-8 MOSFETs

ZXMN3B04N8TA, 30V 7.2A 2W 25mOhm@7.2A,4.5V N Channel SO-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024877023
Артикул
ZXMN3B04N8TA
Бренд
DIODES INC.
Type:
MOSFET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXMN3B04
Fall Time:
16.6 ns
Цена по запросу
(от 57 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXMN3B04
Fall Time:16.6 ns
Rise Time:11.5 ns
Вес, г0.15
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:23.1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:8.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:700 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:500
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25мОм

Техническая документация