Моя заявка (0)

ZXMN3A03E6, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount

ZXMN3A03E6, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8384253176
Артикул
ZXMN3A03E6
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Channel Type
N Channel
Корпус
SOT-23
Power Dissipation
1.7Вт
Цена по запросу
(от 226 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ZXMN3A03E6 - это N-канальный МОП-транзистор с усиленным режимом работы, с литым пластиковым корпусом и матовым оловянным покрытием, нанесенным на медные выводы в соответствии со стандартом MIL-STD-202. В этом транзисторном МОП-транзисторе нового поколения от Zetex используется уникальная конструкция, сочетающая преимущества низкого сопротивления при включении с высокой скоростью переключения. Это делает иx идеальными для применения в системаx с высокой эффективностью и низким напряжением. • Низкое сопротивление при включении • Высокая скорость переключения • Низкий порог • Низкий привод затвора • Экологически чистое устройство, не содержащее галогенов • Уровень чувствительности к влаге 1 в соответствии с J-STD-020 • Класс воспламеняемости UL94V-0

Технические параметры

Вес, г0.03
Channel TypeN Channel
КорпусSOT-23
Power Dissipation1.7Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.05Ом
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока4.6А
Рассеиваемая Мощность1.7Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.05Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.05 Ом

Техническая документация