ZXMN3A02X8TA, MOSFETs 30V N Chnl UMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004842009
- Артикул
- ZXMN3A02X8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 3.1 mm
- Серия
- ZXMN3A0
Цена по запросу
(от 231,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N Chnl UMOS
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 3.1 mm |
| Серия | ZXMN3A0 |
| Высота | 0.95 mm |
| Ширина | 3.1 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | MSOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 26.8 nC |
| Время нарастания | 5.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.7 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35 mOhms |