ZXMN3A01ZTA, 30V 2.2A 970mW 120mOhm 1V@250uA N Channel SOT-89 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062567480
- Артикул
- ZXMN3A01ZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 2.6mm
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 2.6mm |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.16 |
| Серия | ZXMN3A |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-89 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 0.95V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.6 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 970mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2.12 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Время нарастания | 4.1 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 186pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.2A (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 970 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 120 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |