ZXMN2F30FHQTA, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008609906
- Артикул
- ZXMN2F30FHQTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 77,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 4.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.8nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 452pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.9A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 45 mOhms |