Моя заявка (0)

ZXMN2F30FHQTA, Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

ZXMN2F30FHQTA, Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002303010
Артикул
ZXMN2F30FHQTA
Бренд
DIODES INC.
Type
1PCSNChannel
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Diodes Incorporated
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:4.8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)1.4W
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:1.4 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)4.8nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)452pF@10V
Continuous Drain Current (Id)4.9A
Id - Continuous Drain Current:4.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:600 mV
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация