ZXMN2B14FHTA, 20V 3.5A 55mOhm@4.5V,3.5A 1W 1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601222
- Артикул
- ZXMN2B14FHTA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 15,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | ZXMN2B |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5.2 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 5.2 ns |
| Вес, г | 5 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.4(Max) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Height | 1.02(Max) |
| Package Length | 3.04(Max) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 5.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 5.2 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.7 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55mО© @ 3.5A,4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 872@10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 55@4.5V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.5A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 55мОм |