ZXMN2B03E6TA,Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.3 A, 0.04 ohm, SOT-26, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637122
- Артикул
- ZXMN2B03E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 6.2 ns
Цена по запросу
(от 181 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 4,3 А 40mOhm@4.5V,4,3 А 1,1 Вт 1 В при 250 мкА 1 шт. канальныx МОП-транзисторов SOT-23-6 ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 6.2 ns |
| Rise Time: | 6.2 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-26-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14.5nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.16nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33.9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом |