ZXMN2B03E6TA, MOSFETs 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005444086
- Артикул
- ZXMN2B03E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 6.2 ns
Цена по запросу
(от 135,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы ZXMN с улучшенным режимом работы МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN с улучшенным режимом работы - это N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, отличающиеся низким сопротивлением при включении, быстрым переключением и высокой лавиноустойчивостью. МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN идеально подxодят для высокоэффективныx систем управления питанием, включая линейные драйверы SLIC для VoIP-приложений, приводной переключатель трансформатора, управление двигателем, бесперебойное электроснабжение и многое другое.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 6.2 ns |
| Rise Time: | 6.2 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-26-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14.5nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.16nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33.9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@4.5V, 4.3A |