ZXMN2B01F, Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8257553746
- Артикул
- ZXMN2B01F
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.05
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- SOT-23
- Power Dissipation
- 806мВт
Цена по запросу
(от 137 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SOT-23 |
| Power Dissipation | 806мВт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.1Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.4А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом |