Моя заявка (0)
ZXMN2A14FTA, MOSFETs N Channel

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004842003
Артикул
ZXMN2A14FTA
Бренд
DIODES INC.
Type:
MOSFET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXMN2A1
Fall Time:
9.5 ns
Цена по запросу
(от 93,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXMN2A1
Fall Time:9.5 ns
Rise Time:5.3 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16.6 ns
Id - Continuous Drain Current:4.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:700 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация