Моя заявка (0)

ZXMN2A03E6TA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 3,4А, 1,1Вт, SOT26

ZXMN2A03E6TA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 3,4А, 1,1Вт, SOT26

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543692
Артикул
ZXMN2A03E6TA
Бренд
DIODES INC.
Type
null
Тип
MOSFET
Вес, г
0.1
Длина
3.1 mm
Цена по запросу
(от 63,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 3,7 А 55mOhm@7.2A, 4,5 В 1,1 Вт 700 мВ при 250uA нулевые МОП-транзисторы SOT-23-6, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

Typenull
ТипMOSFET
Вес, г0.1
Длина3.1 mm
СерияZXMN2A
Высота1.3 mm
Ширина1.8 mm
ПродуктMOSFET Small Signal
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.7 ns
Power Dissipation (Pd)1.1W
Особенностиdepletion-mode fet
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle Quad Drain
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)8.2nC@4.5V
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-26-6
Input Capacitance (Ciss@Vds)837pF@10V
Continuous Drain Current (Id)3.7A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания5.7 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.1 W
Id - непрерывный ток утечки4.6 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе700mV@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения18.5 ns
Типичное время задержки при включении4.7 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)55mΩ@7.2A, 4.5V

Техническая документация