ZXMN2A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042956623
- Артикул
- ZXMN2A01FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- N Channel
- Type:
- MOSFET
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 63,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Type: | MOSFET |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMN2A |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4.62 ns |
| Rise Time: | 5.21 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 806 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.49 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 303pF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.47 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.9A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.1 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 225 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 700mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 120mΩ@4.5V, 4A |